| Originalsprog | Engelsk |
|---|---|
| Tidsskrift | Physica B |
| Vol/bind | 308-310 |
| Sider (fra-til) | 206 |
| Status | Udgivet - 2001 |
Raman scattering study of vacancy-hydrogen related defects in silicon
E. V. Lavrov, J. Weber, L. Huang, Brian Bech Nielsen
Publikation: Bidrag til tidsskrift/Konferencebidrag i tidsskrift /Bidrag til avis › Tidsskriftartikel › Forskning › peer review
3
Citationer
(Scopus)