Originalsprog | Engelsk |
---|---|
Tidsskrift | Physica B |
Vol/bind | 273-274 |
Sider (fra-til) | 256 |
Status | Udgivet - 1999 |
Infrared absorption study of a new dicarbon center in silicon
E.V. Lavrov, Brian Bech Nielsen, J. Byberg, J.L. Lindström
Publikation: Bidrag til tidsskrift/Konferencebidrag i tidsskrift /Bidrag til avis › Tidsskriftartikel › Forskning › peer review
2
Citationer
(Scopus)