Influence of boron concentration on the enhanced diffusion observed after irradiation of boron delta-doped silicon at 570 degrees C

Publikation: Bidrag til tidsskrift/Konferencebidrag i tidsskrift /Bidrag til avisTidsskriftartikelForskningpeer review

  • Leveque nullP., Danmark
  • J.S. Christensen, Danmark
  • A.Y. Kuznetsov, Danmark
  • B.G. Svensson, Danmark
  • Arne Nylandsted Larsen
  • Institut for Fysik og Astronomi
OriginalsprogEngelsk
TidsskriftNucl. Instrum. and Methods in Physics Research B
Vol/bind178
Sider (fra-til)337-341
Antal sider5
StatusUdgivet - 2001

Se relationer på Aarhus Universitet Citationsformater

ID: 292220