Band gap structure modification of amorphous anodic Al oxide film by Ti-alloying

Publikation: Bidrag til tidsskrift/Konferencebidrag i tidsskrift /Bidrag til avisTidsskriftartikelForskningpeer review

  • Stela Canulescu, Danmarks Tekniske Universitet, Danmark
  • Kristian Rechendorff, Danish Technological Institute, Danmark
  • Camelia N. Borca, Paul Scherrer Institute, Schweiz
  • Nykola C. Jones
  • Kirill Bordo, Danmarks Tekniske Universitet, Danmark
  • Jørgen Schou, Danmarks Tekniske Universitet, Danmark
  • Lars Pleth Nielsen, Danish Technological Institute, Danmark
  • Søren Vrønning Hoffmann
  • Rajan Ambat, Danmarks Tekniske Universitet, Danmark
OriginalsprogEngelsk
Artikelnummer121910
TidsskriftApplied Physics Letters
Vol/bind104
Antal sider4
ISSN0003-6951
DOI
StatusUdgivet - 2014

Se relationer på Aarhus Universitet Citationsformater

ID: 70115923