Institut for Forretningsudvikling og Teknologi

Analysis and Characterization of Normally-Off Gallium Nitride High Electron Mobility Transistors

Publikation: Bidrag til tidsskrift/Konferencebidrag i tidsskrift /Bidrag til avisTidsskriftartikelForskningpeer review

  • Shahzaib Anwar, COMSATS University Islamabad
  • ,
  • Sardar Muhammad Gulfam, COMSATS University Islamabad
  • ,
  • Muhammad Bilal
  • Syed Junaid Nawaz, COMSATS University Islamabad
  • ,
  • Khursheed Aurangzeb, King Saud University
  • ,
  • Mohammad Kaleem, COMSATS University Islamabad
OriginalsprogEngelsk
TidsskriftComputers, Materials & Continua
Vol/bind69
Nummer1
Sider (fra-til)1021-1037
Antal sider17
ISSN1546-2218
DOI
StatusUdgivet - jun. 2021

Se relationer på Aarhus Universitet Citationsformater

ID: 221000002