Aarhus Universitets segl

Til studerende
Til ph.d.er
Til medarbejdere
Institutter og fakulteter
Bibliotek
Presse

Hooman Farkhani

A new asymmetric 6T SRAM cell with a write assist technique in 65nm CMOS technology

Publikation: Bidrag til tidsskrift/Konferencebidrag i tidsskrift /Bidrag til avis › Tidsskriftartikel › Forskning › peer review

DOI

https://doi.org/10.1016/j.mejo.2014.09.006
Forlagets udgivne version

Hooman Farkhani
Ali Peiravi, Ferdowsi University of Mashhad, Iran
Farshad Moradi

Originalsprog	Engelsk
Tidsskrift	Microelectronics Journal
Vol/bind	45
Nummer	11
ISSN	0026-2692
DOI	https://doi.org/10.1016/j.mejo.2014.09.006
Status	Udgivet - 2014

Se relationer på Aarhus Universitet Citationsformater

ID: 118992772