Perpendicular STT_RAM Cell in 8nm Technology Node Using Co1/Ni3(111)||Gr2||Co1/Ni3(111) Structure as Magnetic Tunnel Junction

Publikation: Bidrag til tidsskrift/Konferencebidrag i tidsskrift /Bidrag til avisTidsskriftartikelForskningpeer review

DOI

    Ali Varghani, Ferdowsi University of Mashhad, IranAli Peiravi, Ferdowsi University of Mashhad, Iran
  • Farshad Moradi
OriginalsprogEngelsk
TidsskriftJournal of Magnetism and Magnetic Materials
Vol/bind452
Sider (fra-til)10-16
Antal sider7
ISSN0304-8853
DOI
StatusUdgivet - 2018

Se relationer på Aarhus Universitet Citationsformater

ID: 119337285