Du er her: AU » Om AU » Organisation » Arne Nylandsted Larsen » Publikationer

Arne Nylandsted Larsen

1 - 100 ud af 157Pr. side: 100
RSS feed af denne liste
Sortering: Udgivelsesår
  1. 2011
  2. Udgivet

    Si nanocrystals embedded in SiO2: Optical studies in the vacuum ultraviolet range. / Pankratov, V. ; Osinniy, Viktor ; Kotlov, A. ; Nylandsted Larsen, Arne ; Bech Nielsen, Brian.

    I: Physical Review B (Condensed Matter and Materials Physics), Vol. 83, 28.01.2011.

    Publikation: Forskning - peer review › Tidsskriftartikel

  3. Udgivet

    Dyadic Green’s functions of thin films: Applications within plasmonic solar cells. / Jung, Jesper ; Søndergaard, Thomas ; Pedersen, Thomas Garm ; Pedersen, Kjeld ; Nylandsted Larsen, Arne ; Bech Nielsen, Brian.

    I: Physical Review B (Condensed Matter and Materials Physics), Vol. 83, Nr. 085419, 23.02.2011.

    Publikation: Forskning - peer review › Tidsskriftartikel

  4. Udgivet

    Evolution of E-centers during the annealing of Sb-doped Si0.8Ge0.2. / Kilpeläinen, S. ; Tuomisto, F. ; Slotte, J. ; Hansen, John Lundsgaard ; Nylandsted Larsen, Arne.

    I: Physical Review B (Condensed Matter and Materials Physics), Vol. 83, 11.03.2011, s. 094115.

    Publikation: Forskning - peer review › Tidsskriftartikel

  5. Udgivet

    Direct observations of the vacancy and its annealing in germanium. / Slotte, J. ; Kilpeläinen, S. ; Tuomisto, F. ; Räisänen, J. ; Nylandsted Larsen, Arne.

    I: Physical Review B (Condensed Matter and Materials Physics), Vol. 83, Nr. 23, 29.06.2011.

    Publikation: Forskning - peer review › Tidsskriftartikel

  6. Udgivet

    Optical transmission through two-dimensional arrays of β-Sn nanoparticles. / Johansen, Britta ; Uhrenfeldt, Christian ; Nylandsted Larsen, Arne ; Pedersen, Thomas Garm ; Ulriksen, Hans Ulrik ; Kristensen, Peter Kjaer ; Jung, Jesper ; Søndergaard, Thomas ; Pedersen, Kjeld.

    I: Physical Review B (Condensed Matter and Materials Physics), Vol. 84, Nr. 11, 12.09.2011.

    Publikation: Forskning - peer review › Tidsskriftartikel

  7. Udgivet

    Influence of Ge content on the optical properties of X and W centers in dilute Si-Ge alloys. / Leitão, J.P. ; Carvalho, A. ; Marques Pereira, Rui Nuno ; Santos, N.M. ; Ankiewicz, A.O. ; Sobolev, N.A. ; Barroso, M. ; Hansen, John Lundsgaard ; Nylandsted Larsen, Arne ; Briddon, P.R..

    I: Physical Review B (Condensed Matter and Materials Physics), Vol. 84, Nr. 165211, 25.11.2011.

    Publikation: Forskning - peer review › Tidsskriftartikel

  8. Udgivet

    Spectroscopic studies of iron and chromium in germanium. / Gurimskaya, Y. ; Mathiot, D. ; Sellai, A. ; Kruszewski, P. ; Dobaczewski, L. ; Nylandsted Larsen, Arne ; Mesli, A..

    I: Journal of Applied Physics, Vol. 110, Nr. 113707, 06.12.2011, s. 113707.

    Publikation: Forskning - peer review › Tidsskriftartikel

  9. Udgivet

    Auger-decay dynamics of germanium nano-islands in silicon. / Julsgaard, Brian ; Balling, Peter ; Hansen, John Lundsgaard ; Svane, Axel ; Nylandsted Larsen, Arne.

    I: Nanotechnology, Vol. 22, Nr. 43, 2011, s. 1-6.

    Publikation: Forskning - peer review › Tidsskriftartikel

  10. Udgivet

    Er sensitization by a thin Si layer: Interaction-distance dependence. / Julsgaard, Brian ; Lu, Ying-Wei ; Jensen, Rasmus Vincentz Skougaard ; Pedersen, Thomas Garm ; Pedersen, K. ; Chevallier, Jacques ; Balling, Peter ; Nylandsted Larsen, Arne.

    I: Physical Review B (Condensed Matter and Materials Physics), Vol. 84, Nr. 8, 2011, s. 085403.

    Publikation: Forskning - peer review › Tidsskriftartikel

  11. Udgivet

    Interaction between Au nanoparticles and Er3+ ions in a TiO2 matrix: Up-conv ersion of intrared light. / Christensen, A. Elmholdt ; Uhrenfeldt, Christian ; Julsgaard, Brian ; Balling, Peter ; Nylandsted Larsen, Arne.

    I: Energy Procedia, Vol. 10, 2011, s. 111-116.

    Publikation: Forskning - peer review › Konferenceartikel

  12. Udgivet

    Luminescence decay dynamics of self-assembled germanium islands in silicon. / Julsgaard, Brian ; Balling, Peter ; Hansen, John Lundsgaard ; Svane, Axel ; Nylandsted Larsen, Arne.

    I: Applied Physics Letters, Vol. 98, Nr. 9, 2011, s. 093101.

    Publikation: Forskning - peer review › Tidsskriftartikel

  13. Udgivet

    Near-infrared-ultraviolet absorption cross sections for Ge nanocrystals in SiO2 thin films: Effects of shape and layer structure. / Uhrenfeldt, Christian ; Chevallier, Jacques ; Nylandsted Larsen, Arne ; Bech Nielsen, Brian.

    I: Journal of Applied Physics, Vol. 109, 2011, s. 094314.

    Publikation: Forskning - peer review › Tidsskriftartikel

  14. 2010
  15. Udgivet

    Low-temperature irradiation-induced defects in p-type germanium. / Kolkovsky, Vladimir ; Petersen, Martin C. ; Mesli, A. ; Nylandsted Larsen, Arne.

    I: Physical Review B (Condensed Matter and Materials Physics), Vol. 81, Nr. 3, 21.01.2010, s. 035208.

    Publikation: Forskning - peer review › Tidsskriftartikel

  16. Udgivet

    Composition dependence of Si and Ge diffusion in relaxed Si1-xGexalloys. / Kube, R. ; Bracht, H. ; Hansen, John Lundsgaard ; Nylandsted Larsen, Arne ; Haller, E.E..

    I: Journal of Applied Physics, Vol. 107, Nr. 7, 16.04.2010, s. 073520-.

    Publikation: Forskning - peer review › Tidsskriftartikel

  17. Udgivet

    Tuning the plasmon resonance of metallic tin nanocrystals in Si-based materials. / Kjeldsen, Mads Møgelmose ; Hansen, John Lundsgaard ; Pedersen, Thomas Garm ; Gaiduk, Peter I. ; Nylandsted Larsen, Arne.

    I: Applied Physics A, Vol. 100, Nr. 1, 11.06.2010.

    Publikation: Forskning - peer review › Tidsskriftartikel

  18. Udgivet

    Effects of Disc Shape on Plasmon Enhanced Optical Absorption in Solar Cells. / Uhrenfeldt, Christian ; Hansen, John Lundsgaard ; Villesen, Thorbjørn Falk ; Jung, Jesper ; Ulriksen, Hans Ulrik ; Pedersen, Thomas Garm ; Pedersen, K. ; Nylandsted Larsen, Arne.

    I: Proceedings of the 25th EU PVSEC/WCPEC-5. 2010. s. 637-640.

    Publikation: Forskning - peer review › Konferencebidrag i proceedings

  19. Udgivet

    Electrostatic plasmon resonances of metal nanospheres in layered geometries. / Jung, Jesper ; Pedersen, Thomas Garm ; Søndergaard, Thomas ; Pedersen, Kjeld ; Nylandsted Larsen, Arne ; Bech Nielsen, Brian.

    I: Physical Review B (Condensed Matter and Materials Physics), Vol. 81, Nr. 12, 2010, s. 125413.

    Publikation: Forskning - peer review › Tidsskriftartikel

  20. Udgivet

    Erbium diffusion in silicon dioxide. / Lu, Ying-Wei ; Julsgaard, Brian ; Petersen, Martin C. ; Jensen, Rasmus Vincentz Skougaard ; Pedersen, T. Garm ; Pedersen, K. ; Nylandsted Larsen, Arne.

    I: Applied Physics Letters, Vol. 97, Nr. 14, 2010, s. 141903.

    Publikation: Forskning - peer review › Tidsskriftartikel

  21. Udgivet

    Fibronectin adsorption, cell adhesion, and proliferation on nanostructured tantalum surfaces. / Dolatshahi-Pirouz, A ; Jensen, Thomas Hartvig Lindkjær ; Kraft, David Christian ; Foss, Morten ; Kingshott, Peter ; Hansen, John Lundsgaard ; Larsen, Arne Nylandsted ; Chevallier, Jacques ; Besenbacher, Flemming.

    I: A C S Nano, Vol. 4, Nr. 5, 2010, s. 2874-2882.

    Publikation: Forskning - peer review › Tidsskriftartikel

  22. Udgivet

    Iron Impurities in Wafers Based on Different So-G Silicon Feedstock. / Dahl, Espen ; Osinniy, Viktor ; Nylandsted Larsen, Arne ; Tronstad, R. ; Middleton, P.H. ; Sætre, T.O. ; Friestad, K..

    I: Proceedings of the 25th EU PVSEC/WCPEC-5. 2010. s. 1571-1575.

    Publikation: Forskning - peer review › Konferencebidrag i proceedings

  23. Udgivet

    Symposium I : Silicon and germanium issues for future CMOS devices. / Nylandsted Larsen, Arne (Redaktør) ; Pelaz, Lourdes (Redaktør) ; Mirabella, Salvo (Redaktør).

    I: Thin Solid Films, Vol. 518, Nr. 9, 2010, s. 2299-3000.

    Publikation: Forskning - peer review › Konferenceartikel

  24. 2009
  25. Udgivet

    Thermalization of exciton states in silicon nanocrystals. / Julsgaard, Brian ; Lu, Ying-Wei ; Balling, Peter ; Nylandsted Larsen, Arne.

    I: Applied Physics Letters, Vol. 95, 05.11.2009, s. 183107.

    Publikation: Forskning - peer review › Tidsskriftartikel

  26. Udgivet

      Interstitial-Mediated Diffusion in Germanium under Proton Irradiation. / Bracht, H. ; Schneider, S. ; Klug, J.N. ; Liao, C.Y. ; Hansen, John Lundsgaard ; Haller, E.E. ; Nylandsted Larsen, Arne ; Bougeard, D. ; Posselt, M. ; Wundisch, C..

    I: Physical Review Letters, Vol. 103, Nr. 25, 2009, s. 25501.

    Publikation: Forskning - peer review › Tidsskriftartikel

  27. Udgivet

    Deep-level transient spectroscopy of low-energy ion-irradiated silicon. / Kolkovsky, Vladimir ; Privitera, V. ; Nylandsted Larsen, Arne.

    I: Journal of Applied Physics, Vol. 105, Nr. 1, 2009, s. 014501.

    Publikation: Forskning - peer review › Tidsskriftartikel

  28. Udgivet

    Donor level of interstitial hydrogen in DdTe. / Kolkovsky, Vladimir ; Kolkovsky, V. ; Nielsen, Knud Bonde ; Dobaczweski, L. ; Karczewski, G. ; Nylandsted Larsen, Arne.

    I: Physical Review B (Condensed Matter and Materials Physics), Vol. 80, Nr. 16, 2009, s. 165205-.

    Publikation: Forskning - peer review › Tidsskriftartikel

  29. Udgivet

    Donor level of interstitial hydrogen in semiconductors: Deep level transient spectroscopy. / Kolkovsky, Vladimir ; Dobaczewski, L. ; Nielsen, Knud Bonde ; Kolkovsky, V. ; Nylandsted Larsen, Arne ; Weber, J..

    I: Physica B: Condensed Matter, Nr. 23-24, 2009, s. 5080-5084.

    Publikation: Forskning - peer review › Konferenceartikel

  30. Udgivet

    Electrically active defects induced by hydrogen and helium implantations in Ge. / Markevich, V.P. ; Bernardini, S. ; Hawkins, I.D. ; Peaker, A.R. ; Kolkovsky, Vladimir ; Nylandsted Larsen, Arne ; Dobaczewski, L..

    I: Materials Science in Semiconductor Processing, Vol. 11, Nr. 5-6, 2009, s. 354-359.

    Publikation: Forskning - peer review › Tidsskriftartikel

  31. Udgivet

    Ab initio calculation of electronic and optical properties of metallic tin. / Pedersen, Thomas Garm ; Modak, Paritosh ; Pedersen, Kjeld ; Christensen, Niels Egede ; Nylandsted Larsen, Arne ; Kjeldsen, Mads Møgelmose.

    I: Journal of Physics: Condensed Matter, Vol. 21, Nr. 11, 2009, s. 115502.

    Publikation: Forskning - peer review › Tidsskriftartikel

  32. Udgivet

    Er+  implantation in SnO2:SiO2 layers: Structure changes and light emission. / Gaiduk, P.J. ; Chevallier, Jacques ; Wesch, W. ; Nylandsted Larsen, Arne.

    I: Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, Vol. 267, Nr. 8-9, 2009, s. 1336-1339.

    Publikation: Forskning - peer review › Tidsskriftartikel

  33. Udgivet

    Morphological properties of laser irradiated Si/Ge multilayers. / Gaiduk, P.I. ; Prakopyeu, S.L. ; Hansen, John Lundsgaard ; Nylandsted Larsen, Arne.

    I: Physica B: Condensed Matter, Vol. 404, 2009, s. 4701-4704.

    Publikation: Forskning - peer review › Tidsskriftartikel

  34. Udgivet

    No trace of divacancies at room temperature in germanium. / Kolkovsky, Vladimir ; Petersen, M. Christian ; Nylandsted Larsen, Arne ; Mesli, A..

    I: Materials Science in Semiconductor Processing, Vol. 11, Nr. 5-6, 2009, s. 336-339.

    Publikation: Forskning - peer review › Tidsskriftartikel

  35. Udgivet

    Responses of fibroblasts and glial cells to nanostructured platinum surfaces. / Pennisi, C.P. ; Sevcencu, C. ; Dolatshahi-Pirouz, Alireza ; Foss, Morten ; Hansen, John Lundsgaard ; Nylandsted Larsen, Arne ; Zachar, V. ; Besenbacher, Flemming ; Yoshida, K..

    I: Nanotechnology, Vol. 20, 2009, s. 385103.

    Publikation: Forskning - peer review › Tidsskriftartikel

  36. Udgivet

    Simultaneous diffusoin of Si and Ge in isotopically controlled Si1-x heterostructures. / Kube, R. ; Bracht, H. ; Hansen, John Lundsgaard ; Nylandsted Larsen, Arne ; Haller, E. E. ; Paul, S. ; Lerch, W..

    I: Materials Science in Semiconductor Processing, Vol. 11, Nr. 5-6, 2009, s. 378-383.

    Publikation: Forskning - peer review › Tidsskriftartikel

  37. Udgivet

    Strain-driven defect evolution in Sn+ implanted Si/SiGe multilayer structure. / Gaiduk, P.I. ; Nylandsted Larsen, Arne ; Wesch, W..

    I: Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, Vol. 267, 2009, s. 1239-1242.

    Publikation: Forskning - peer review › Tidsskriftartikel

  38. Udgivet

    Thin-Film Silicon-Solar Cells and Metallic Sn-Nanoparticles. / Kjeldsen, Mads Møgelmose ; Hansen, John Lundsgaard ; Chevallier, Jacques ; Nylandsted Larsen, Arne.

    I: Mat. Res. Soc. Symp. Proc., Vol. 1121, Nr. N07-03, 2009.

    Publikation: Forskning - peer review › Tidsskriftartikel

  39. Udgivet

    Vertical charge-carrier transport in Si nanocrystals/SiO2 multilayer structures. / Osinniy, Viktor ; Lysgaard, S. ; Kolkovsky, Vladimir ; Pankratov, Vladimir ; Nylandsted Larsen, Arne.

    I: Nanotechnology, Vol. 20, Nr. 19, 2009, s. 195201.

    Publikation: Forskning - peer review › Tidsskriftartikel

  40. Udgivet

    ZnO nanocrystals/SiO2 multilayer structures fabricated by RF-magnetron sputtering. / Pankratov, Vladimir ; Osinniy, Viktor ; Nylandsted Larsen, Arne ; Nielsen, Brian Bech.

    I: Physica B: Condensed Matter, Nr. 23-24, 2009, s. 4827-4830.

    Publikation: Forskning - peer review › Konferenceartikel

  41. 2008
  42. Udgivet

    Chemical bath deposition of PbS nanocrystals: Effect of substrate. / Gaiduk, Alex P. ; Gaiduk, Peter I. ; Nylandsted Larsen, Arne.

    I: Thin Solid Films, Vol. 516, 2008, s. 3791-3795.

    Publikation: Forskning - peer review › Tidsskriftartikel

  43. Udgivet

    Diffusion and defect reactions between donors, C, and vacancies in Ge. I. Experimental results. / Brotzmann, S. ; Bracht, H. ; Hansen, John Lundsgaard ; Nylandsted Larsen, Arne ; Simoen, E. ; Haller, E.E. ; Christensen, J.S. ; Werner, P..

    I: Physical Review B (Condensed Matter and Materials Physics), Vol. 77, 2008, s. 235207.

    Publikation: Forskning - peer review › Tidsskriftartikel

  44. Udgivet

    Gallium interstitial in irradiated germanium: Deep level transient spectroscopy. / Kolkovsky, Vladimir ; Petersen, Martin Christian ; Mesli, A. ; Van Gheluwe, J. ; Clauws, P. ; Nylandsted Larsen, Arne.

    I: Physical Review B (Condensed Matter and Materials Physics), Vol. 78, Nr. 23, 2008, s. 233201.

    Publikation: Forskning - peer review › Tidsskriftartikel

  45. Udgivet

    Influence of Nano-Topography of Platinum Surfaces on Fibroblast Adhesion and Morphology. / Pennisi, Christian Pablo Alejandro ; Sevcencu, Cristian ; Dolatshahi-Pirouz, Alireza ; Foss, Morten ; Nylandsted Larsen, Arne ; Hansen, John Lundsgaard ; Zachar, Vladimir ; Besenbacher, Flemming ; Yoshida, Kenichi.

    2008. Abstract from 8th World Biomaterials Congress, Amsterdam, Holland.

    Publikation: Forskning › Konferenceabstrakt til konference

  46. Udgivet

    Irradiation-induced defects in SiGe. / Nylandsted Larsen, Arne ; Bro Hansen, A. ; Mesli, A..

    I: Materials Science and Engineering B: Advanced Functional Solid-state Materials, Vol. 154-155, 2008, s. 85-89.

    Publikation: Forskning - peer review › Tidsskriftartikel

  47. Udgivet

    Low-temperature irradiation-induced defects in germanium: In situ analysis. / Mesli, A. ; Dobaczewski, L. ; Nielsen, Knud Bonde ; Kolkovsky, Vladimir ; Petersen, Martin Christian ; Nylandsted Larsen, Arne.

    I: Physical Review B (Condensed Matter and Materials Physics), Vol. 78, 2008, s. 165202.

    Publikation: Forskning - peer review › Tidsskriftartikel

  48. Udgivet

    Negative-U property of interstitial hydrogen in GaAs. / Kolkovsky, Vladimir ; Nielsen, Knud Bonde ; Nylandsted Larsen, Arne ; Dobaczewski, L..

    I: Physical Review B (Condensed Matter and Materials Physics), Vol. 78, 2008, s. 035211.

    Publikation: Forskning - peer review › Tidsskriftartikel

  49. Udgivet

    Point defects in SiGe alloys: structural guessing basedon electronic transition analysis. / Mesli, A. ; Kruszewski, P. ; Dobaczewsi, L. ; Kolkovsky, Vladimir ; Nylandsted Larsen, Arne ; Abrosimov, N.V..

    I: Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Vol. 19, 2008, s. S115–S121.

    Publikation: Forskning - peer review › Tidsskriftartikel

  50. Udgivet

    Proton irradiation of germanium isotope multilayer structures. / Schneider, S. ; Bracht, H. ; Petersen, Martin Christian ; Hansen, John Lundsgaard ; Nylandsted Larsen, Arne.

    I: Journal of Applied Physics, Vol. 103, 2008, s. 033517.

    Publikation: Forskning - peer review › Tidsskriftartikel

  51. Udgivet

    Structural and sensing propertiesof nanocrystalline SnO2 films depositedby spray pyrolysis from a SnCl2 precursor. / Gaiduk, P.I. ; Kozjevko, A.N. ; Prokopjev, S.L. ; Tsamis, C. ; Nylandsted Larsen, Arne.

    I: Applied Physics A, Vol. 91, 2008, s. 667-670.

    Publikation: Forskning - peer review › Tidsskriftartikel

  52. Udgivet

    Structural characterization of strained silicon grown on a SiGe buffer layer. / Jang, J.H. ; Phen, M.S. ; Gerger, A. ; Jones, K.S. ; Hansen, John Lundsgaard ; Nylandsted Larsen, Arne ; Craciun, C..

    I: Semiconductor Science and Technology, Vol. 23, 2008, s. 035012.

    Publikation: Forskning - peer review › Tidsskriftartikel

  53. Udgivet

    Synthesis and analysis of hollow SnO2 nanoislands. / Gaiduk, P.I. ; Hansen, John Lundsgaard ; Nylandsted Larsen, Arne.

    I: Applied Physics Letters, Vol. 92, 2008, s. 193112-1.

    Publikation: Forskning - peer review › Tidsskriftartikel

  54. 2007
  55. Udgivet

    Alpha-particle irradiation-induced defects in n-type germanium. / Kolkovski, Vladimir ; Petersen, Martin Christian ; Nylandsted Larsen, Arne.

    I: Applied Physics Letters, Vol. 90, 2007, s. 112110.

    Publikation: Forskning - peer review › Tidsskriftartikel

  56. Udgivet

    Capacitance-transient spectroscopyon irradiation-induced defects in Ge. / Nylandsted Larsen, Arne ; Mesli, Abdelmadjid.

    I: Optica Applicata, Vol. Vol. XXXVI, Nr. 2-3, 2007.

    Publikation: Forskning - peer review › Tidsskriftartikel

  57. Udgivet

    Evolution of W optical center in Si-implanted epitaxial SiGe at lowtemperature annealing. / Tan, J. ; Davies, G. ; Hayama, S. ; Nylandsted Larsen, Arne.

    I: Applied Physics Letters, Vol. 90, 2007, s. 041910.

    Publikation: Forskning - peer review › Tidsskriftartikel

  58. Udgivet

    Heat treatment of metal-capped SiO2 films containing Si nanocrystals. / Jensen, Jesper Skov ; Buttenschön, D. A. ; Pedersen, Tom Peder Leervad ; Chevallier, Jacques ; Nielsen, Brian Bech ; Nylandsted Larsen, Arne.

    I: Oyo Buturi, Vol. 101, 2007, s. 056108.

    Publikation: Forskning - peer review › Tidsskriftartikel

  59. Udgivet

    Nano-cluster formation in Ge+Sn implanted SiO2 layers. / Gaiduk, P.I. ; Prokeph'ev, S.L. ; Kazuchits, N.M. ; Plebanovich, V.I. ; Wesch, W. ; Nylandsted Larsen, Arne.

    I: Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, Vol. 257, 2007, s. 60-63.

    Publikation: Forskning - peer review › Tidsskriftartikel

  60. Udgivet

    Paramagnetic defects and amorphous network reconstructionof magnetron sputtered a-SiO2 :Ge films. / Marques Pereira, Rui Nuno ; Jensen, Jesper Skov ; Chevallier, Jacques ; Nielsen, Brian Bech ; Nylandsted Larsen, Arne.

    I: Oyo Buturi, Vol. 102, 2007, s. 04409-1 til 044309-6.

    Publikation: Forskning - peer review › Tidsskriftartikel

  61. Udgivet

    Piezoresistance in Strained Silicon and Strained Silicon Germanium. / Richter, J. ; Arnoldus, M.B. ; Hansen, John Lundsgaard ; Nylandsted Larsen, Arne ; Hansen, O. ; Thomsen, E.V..

    I: Mater. Res. Soc. Symp. Proc.. Vol. 958 Materials Research Society, 2007. s. 0958-L04-06.

    Publikation: Forskning - peer review › Konferencebidrag i proceedings

  62. Udgivet

    Radiation Performance of Ge Technologies. / Markevich, Vladimir ; Peaker, Anthony R. ; Nylandsted Larsen, Arne.

    I: Germanium-based Technologies: From Materials to Devices. Pergamon Press, 2007.

    Publikation: Forskning › Bidrag til bog/antologi

  63. Udgivet

    The hidden secrets of the E-center in Si and Ge. / Nylandsted Larsen, Arne ; Mesli, Abdelmadjid.

    I: Physica B, Vol. 401-402, 2007, s. 85-90.

    Publikation: Forskning - peer review › Tidsskriftartikel

  64. 2006
  65. Udgivet

    Coupling between Ge-nanocrystals and defects in SiO2. / Jensen, Jesper Skov ; Franzo, G. ; Pedersen, Tom Peder Leervad ; Peireira, R. ; Chevallier, Jacques ; Petersen, Martin Christian ; Nielsen, Brian Bech ; Nylandsted Larsen, Arne.

    I: Journal of Luminescence, Vol. 121, 2006, s. 409-412.

    Publikation: Forskning - peer review › Tidsskriftartikel

  66. Udgivet

    Defects and impurities in SiGe: The effect of alloying. / Mesli, A. ; Kolskovsky, Vl. ; Dobaczewski, L. ; Nylandsted Larsen, Arne ; Abrosimov, N.V..

    I: Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, Vol. 253, 2006, s. 154-160.

    Publikation: Forskning - peer review › Tidsskriftartikel

  67. Udgivet

    Diffusion of silicon in crystalline germanium. / Silvestri, H. ; Bracht, H. ; Larsen, Arne Nylandsted ; Haller, E.E..

    I: Semicond.Sci.Technol., Vol. 21, 2006, s. 758-762.

    Publikation: Forskning - peer review › Tidsskriftartikel

  68. Udgivet

    DLTS studies of irradiation-induced defects in p-type germanium. / Petersen, M. Christian ; Lindberg, C.E. ; Bonde Nielsen, K. ; Mesli, A. ; Nylandsted Larsen, Arne.

    I: Materials Science in Semiconductior Processing 9, 2006, s. 597-599.

    Publikation: Forskning - peer review › Tidsskriftartikel

  69. Udgivet

    Donor level of interstitial hydrogen in GaAs. / Dobaczewski, L. ; Bonde Nielsen, K. ; Larsen, Arne Nylandsted ; Peaker, A.R..

    I: Physica B, Vol. 376-377, 2006, s. 614-617.

    Publikation: Forskning - peer review › Tidsskriftartikel

  70. Udgivet

    E Center in Silicon Has a Donor Level in the Band Gap. / Larsen, Arne Nylandsted ; Mesli, Abdelmadjid ; Bonde Nielsen, K. ; Nielsen, Hanne Kortegaard ; Dobaczewski, L. ; Adey, J. ; Jones, R. ; Palmer, D.W. ; Briddon, P.R. ; Ösberg, S..

    I: Phys. Rev. Lett. 97, 2006, s. 106402.

    Publikation: Forskning - peer review › Tidsskriftartikel

  71. Udgivet

    Effect of a mid-temperature thermal annealing on the enhancement of boron diffusion during rapid thermal annealing. / Lévêque, P. ; Mathiot, D. ; Christensen, J.S. ; Svensson, B.G. ; Larsen, Arne Nylandsted.

    I: Oyo Buturi, Vol. 99, 2006, s. 073506.

    Publikation: Forskning - peer review › Tidsskriftartikel

  72. Udgivet

    Effect of Ge doping on the creation of luminescent radiation defects in MBE Si. / Ankiewicz, A.O. ; Sobolev, N.A. ; Leitão, J.P. ; Carmo, M. ; Pereira, R.N. ; Hansen, John Lundsgaard ; Larsen, Arne Nylandsted.

    I: Nucl. Instr.Methods B, Vol. 248, 2006, s. 127-132.

    Publikation: Forskning - peer review › Tidsskriftartikel

  73. Udgivet

    Epitaxial growth of Ge and SiGe on Si substrates. / Nylandsted Larsen, Arne.

    I: Materials Science in Semiconductor Processing, Vol. 9, 2006, s. 454-459.

    Publikation: Forskning - peer review › Tidsskriftartikel

  74. Udgivet

    Ge nanocrystals in magnetron sputtered SiO2. / Jensen, Jesper Skov ; Pedersen, Tom Peder Leervad ; Pereira, R. ; Chevallier, Jacques ; Hansen, John Lundsgaard ; Nielsen, Brian Bech ; Larsen, Arne Nylandsted.

    I: Appl. Phys. A, Vol. 83, 2006, s. 41-48.

    Publikation: Forskning - peer review › Tidsskriftartikel

  75. Udgivet

    Impact of 10 MeV Au on the surface of relaxed Si0.5Ge0.5 alloy films studied by atomic force microscopy. / Kanjilal, A. ; Hansen, John Lundsgaard ; Larsen, Arne Nylandsted ; Kanjilal, d..

    I: Surface Science 600, 2006, s. 3087-3092.

    Publikation: Forskning - peer review › Tidsskriftartikel

  76. Udgivet

    Rare earth ions and Ge nanocrystals in SiO2. / Jensen, Jesper Skov ; Pedersen, Tom Peder Leervad ; Chevallier, Jacques ; Nielsen, Brian Bech ; Larsen, Arne Nylandsted.

    I: Nanotechnology, Vol. 17, 2006, s. 2621-2624.

    Publikation: Forskning - peer review › Tidsskriftartikel

  77. Udgivet

    The As2V complex in silicon: Band-gap levels, migration and annealing. / Kortegaard, H. ; Mesli, A. ; Dobaczewski, L. ; Bonde Nielsen, K. ; Lindberg, C.E. ; Privitera, V. ; Nylandsted Larsen, Arne.

    I: Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, Nr. 253, 2006, s. 172-175.

    Publikation: Forskning - peer review › Tidsskriftartikel

  78. Udgivet

    Trimodal island distribution of Ge nanodots on (001)Si. / Balle, Jacob ; Hansen, John Lundsgaard ; Larsen, Arne Nylandsted.

    I: Oyo Buturi, Vol. 100, 2006, s. 066104.

    Publikation: Forskning - peer review › Tidsskriftartikel

  79. 2005
  80. Udgivet

    Activation volume for phosphorus diffusion in silicon and Si 0.93 Ge0.07. / Zhao, Y. ; Aziz, M. ; Zangenberg, N. ; Larsen, Arne Nylandsted.

    I: Applied Physics Letters, Vol. 86, 2005, s. 141902.

    Publikation: Forskning - peer review › Tidsskriftartikel

  81. Udgivet

    Diffusion of Silicon in Germanium. / Silvestri, H.H. ; Bracht, H. ; Larsen, Arne Nylandsted ; Haller, E.E. ; Menéndex, J. (Redaktør) ; Van de Walle, C.G. (Redaktør).

    I: Ikke angivet. 772, 1. udg. American Institute of Physics, 2005. s. 97-98.

    Publikation: Forskning › Konferencebidrag i proceedings

  82. Udgivet

    Ge nanocrystals in MOS-memory structures produced by molecular-beam epitaxy and rapid-thermal processing. / Larsen, Arne Nylandsted ; Kanjilal, A. ; Lundsgaard Hansen, J. ; Gaiduk, P. ; Normand, P. ; Dimitrakis, P. ; Tsoukalas, D. ; Cherkashin, N. ; Claverie, A..

    I: Mater. Res. Soc. Symp. Proc., Vol. 830, 2005, s. 6-6.

    Publikation: Forskning - peer review › Tidsskriftartikel

  83. Udgivet

    Interstitial-carbon-related defects in relaxed SiGe alloy: the effect of alloying. / Mesli, A. ; Larsen, Arne Nylandsted.

    I: J. Phys..: Condens. Matter, Vol. 17, 2005, s. 2171-2184.

    Publikation: Forskning - peer review › Tidsskriftartikel

  84. Udgivet

    Ion-irradiation-induced preferential amorphization of Ge nanocrystals in silica. / Ridgway, M.C. ; Azevedo, G.de M. ; Elliman, R.G. ; Glover, C.J. ; Llewellyn, D.J. ; Miller, R. ; Wesch, W. ; Foran, G.J. ; Hansen, J. ; Larsen, Arne Nylandsted.

    I: Physical Review B (Condensed Matter and Materials Physics), Vol. 71, 2005.

    Publikation: Forskning - peer review › Tidsskriftartikel

  85. Udgivet

    Monitoring interstitial fluxes by self-assembled nanovoids in ion-implanted Si/SiGe/Si strained structures. / Gaiduk, P.I. ; Hansen, John Lundsgaard ; Larsen, Arne Nylandsted.

    I: Nucl. Instr. Meth. B, Vol. 230, 2005, s. 214-219.

    Publikation: Forskning - peer review › Tidsskriftartikel

  86. Udgivet

    On-line DLTS investigations of vacancy related defects in low-temperature electron irradiated, boron-doped Si. / Zangenberg, N.R. ; Larsen, Arne Nylandsted.

    I: Appl. Phys. A, Vol. 80, 2005, s. 1081-1086.

    Publikation: Forskning - peer review › Tidsskriftartikel

  87. Udgivet

    Passivation of Ge nanocrystals in SiO2. / Jensen, Jesper Skov ; Pedersen, Tom Peder Leervad ; Marques Pereira, Rui Nuno ; Jensen, Pia Bomholt ; Chevallier, Jacques ; Hansen, O. ; Larsen, Arne Nylandsted ; Nielsen, Brian Bech.

    I: Solid State Phenomena, Vol. 108-109, 2005, s. 33.

    Publikation: Forskning - peer review › Tidsskriftartikel

  88. Udgivet

    Piezoresistance of silicon and strained Si0.9Ge0.1. / Richter, J. ; Hansen, O ; Larsen, Arne Nylandsted ; Hansen, John Lundsgaard ; Eriksen, G.F. ; Thomsen, E.V..

    I: Sensors and Actuators A, Vol. 123-124, 2005, s. 388-396.

    Publikation: Forskning - peer review › Tidsskriftartikel

  89. Udgivet

    Preferential amorphisation of Ge nanocrystals in a silica matrix. / Ridgway, M.C. ; Azevedo, G.de M. ; Elliman, R.G. ; Wesch, W. ; Glover, C.J. ; Miller, R. ; Llewellyn, D.J. ; Foran, G.J. ; Hansen, J.L. ; Larsen, Arne Nylandsted.

    I: Nucl. Instr. Meth., Vol. B 242, 2005, s. 121-124.

    Publikation: Forskning - peer review › Tidsskriftartikel

  90. Udgivet

    Size and aerial density distributions of Ge nanocrystals in a SiO2 layer produced by molecular beam epitaxy and rapid thermal processing. / Kanjilal, A. ; Hansen, J.L. ; Gaiduk, P. ; Larsen, Arne Nylandsted ; Normand, P. ; Dimitrakis, P ; Tshoukalas, D. ; Cherkashin, N. ; Claverie, A..

    I: Appl. Phys. A, Vol. 81, 2005, s. 363-366.

    Publikation: Forskning - peer review › Tidsskriftartikel

  91. Udgivet

    Size and aerial density distributions of Ge nanocrystals in a Si2O layer produced by molecular beam epitaxy and rapid thermal processing. / Kanjilal, A. ; Hansen, J.L. ; Gaiduk, P. ; Larsen, Arne Nylandsted ; Normand, P. ; Dimitrakis, P. ; Tsoukalas, D. ; Cherkashin, N. ; Claverie, A..

    I: Applied Physics A, Vol. 81, Nr. 2, 2005, s. 363-366.

    Publikation: Forskning - peer review › Tidsskriftartikel

  92. Udgivet

    Synthesis of crystalline Ge nanoclusters in PE-CVD-deposited SiO2 films. / Pedersen, Tom Peder Leervad ; Jensen, J.S. ; Chevallier, J. ; Hansen, O. ; Jensen, J.M. ; Nielsen, B.B. ; Larsen, Arne Nylandsted.

    I: Applied Physics A, Vol. 81, Nr. 1591-1593, 2005, s. 025002-1.

    Publikation: Forskning - peer review › Tidsskriftartikel

  93. Udgivet

    Synthesis of crystalline Ge nanoclusters in PE-CVD-deposited SiO2 films. / Pedersen, Tom Leervad ; Jensen, Jesper Skov ; Chevallier, J. ; Hansen, O. ; Jensen, J.M. ; Nielsen, Brian Bech ; Larsen, Arne Nylandsted.

    I: Applied Physics A, Vol. 81, 2005, s. 1591-1593.

    Publikation: Forskning - peer review › Tidsskriftartikel

  94. Udgivet

    The antimony-vacancy defect in p-type germanium. / Lindberg, C.E. ; Hansen, John Lundsgaard ; Jensen, Pia Bomholt ; Mesli, A. ; Bonde Nielsen, K. ; Larsen, Arne Nylandsted ; Dobaczewski, L.

    I: Applied Physics Letters, Vol. 87, 2005.

    Publikation: Forskning - peer review › Tidsskriftartikel

  95. Udgivet

    The effect of biaxial strain on impurity diffusion in Si and SiGe. / Larsen, Arne Nylandsted ; Zangenberg, N. ; Fage-Pedersen, J..

    I: Materials Science and Engineering, Nr. B 124-125, 2005, s. 241-244.

    Publikation: Forskning - peer review › Tidsskriftartikel

  96. 2004
  97. Udgivet

    Funktionelle nanoklynger : nanoreaktivitet og nanoluminiscens. / Besenbacher, Flemming ; Nylandsted Larsen, Arne ; Nielsen, Brian Bech ; Stensgaard, Ivan.

    I: Kvant, Vol. 15, Nr. 2, 2004, s. 13-17.

    Publikation: Formidling › Tidsskriftartikel

  98. Udgivet

    High-resolution local vibrational mode spectroscopy and electron paramagnetic resonance study of the oxygen-vacancy complex in irradiated germanium. / Vanmeerbeek, P. ; Clauws, P. ; Vrielinck, H. ; Pajot, B. ; van Hoorebeke, L. ; Nylandsted Larsen, Arne.

    I: Physical Review B (Condensed Matter and Materials Physics), Vol. 70, 2004, s. 35203.

    Publikation: Forskning - peer review › Tidsskriftartikel

  99. Udgivet

    Simultaneous Phosphorus and Si Self-Diffusion in Extrinsic, Isotopically Controlled Silicon Heterostructures. / Silvestri, H.H. ; Bracht, H.A. ; Sharp, I.D. ; Hansen, J. ; Larsen, Arne Nylandsted.

    I: Materials Research Society Symposium Proceedings, 2004, s. 77-83.

    Publikation: Forskning - peer review › Konferenceartikel

  100. Udgivet

    Strain Relaxation of Ion-implanted Strained Silicon on Relaxed SiGe. / Crosby, R.T. ; Jones, K.S. ; Law, M.E. ; Saavedra, A.F. ; Hansen, J.L. ; Larsen, A.N. ; Liu, J..

    I: Mat. Res. Soc. Symp. Proc., Vol. 810, 2004, s. 4-4.

    Publikation: Forskning - peer review › Tidsskriftartikel

  101. Udgivet

    The influence of oxide/nitride surface layers on diffusion in Si and SiGe. / Zangenberg, N.R. ; Chevallier, J. ; Hansen, J.L. ; Larsen, Arne Nylandsted.

    I: Appl. Phys. A, Vol. DOI:10.1007, 2004, s. 00339-004-2958-6.

    Publikation: Forskning - peer review › Tidsskriftartikel

  102. Udgivet

    {311} defect evolution in ion-implanted, relaxed Si1-xGex. / Crosby, R. ; Jones, K.S. ; Law, M.E. ; Nylandsted Larsen, Arne ; Hansen, John Lundsgaard.

    I: J.Vac.Sci.Technol.B, Vol. 22, Nr. 1, 2004, s. 468.

    Publikation: Forskning - peer review › Tidsskriftartikel

  103. 2003
  104. Udgivet

    B and P diffusion in strained and relaxed Si and SiGe. / Zangenberg, N.R. ; Fage-Pedersen, J. ; Hansen, John Lundsgaard ; Nylandsted Larsen, Arne.

    I: Journal of Applied Physics, Vol. 94, 2003, s. 3883.

    Publikation: Forskning - peer review › Tidsskriftartikel

  105. Udgivet

    Discontinuous tracks in relaxed Si0.5Ge0.5 alloy layers: A velocity effect. / Gaiduk, P.I. ; Nylandsted Larsen, Arne ; Hansen, John Lundsgaard ; Trautmann, C. ; Toulemonde, M..

    I: Applied Physics Letters, Vol. 83, Nr. 9, 2003, s. 1746.

    Publikation: Forskning - peer review › Tidsskriftartikel

  106. Udgivet

    Effect of alloy composition on track formation in relaxed Si 1-xGex. / Gaiduk, P.I. ; Trautmann, C. ; Toulemonde, M. ; Hansen, John Lundsgaard ; Nylandsted Larsen, Arne.

    I: Physica B, Vol. 340-342, 2003, s. 808.

    Publikation: Forskning - peer review › Tidsskriftartikel

  107. Udgivet

    Electrical deactivation by vacancy-impurity complexes in highly As-doped Si. / Ranki, V. ; Saarinen, K. ; Fage-Pedersen, J. ; Hansen, John Lundsgaard ; Nylandsted Larsen, Arne.

    I: Physical Review B (Condensed Matter and Materials Physics), Vol. 67, 2003, s. 41201.

    Publikation: Forskning - peer review › Tidsskriftartikel

  108. Udgivet

    Germanium quantum dots in SiO2: fabrication and characterization. / Nylandsted Larsen, Arne ; Kanjilal, A. ; Hansen, John Lundsgaard ; Gaiduk, P.I. ; Cherkashin, N. ; Claverie, A. ; Normand, P. ; Kapelanakis, E. ; Tsoukalas, D. ; Heinig, K.-H..

    I: Physics, Chemistry and Application of Nanostructures, World Scientific. 2003. s. 439.

    Publikation: Forskning - peer review › Konferencebidrag i proceedings

  109. Udgivet

    High-resolution local vibrational mode spectroscopy of the negatively charged oxygen-vacancy complex in germanium. / Vanmeerbeek, P. ; Clauws, P. ; Pajot, B. ; Nylandsted Larsen, Arne.

    I: Physica B, Vol. 340-342, 2003, s. 795.

    Publikation: Forskning - peer review › Tidsskriftartikel

Forrige 1 2 Næste

Nye tider på au.dk

Aarhus Universitets hjemmeside er ved at blive redesignet. Design og indhold vil derfor ændre sig, og du vil kunne opleve, at indhold ikke ligger, hvor det plejer.

Vi håber, at eventuelle gener opvejes af glæden ved en ny hjemmeside med større sammenhæng på tværs og en mere enkel brugeroplevelse.

Giv din feedback

Hvorfor roder vi?

I den kommende tid vil universitetets hjemme­side være en blanding af sider i nyt og gammelt design.

I foråret 2011 blev AU's ni hovedområder til fire og 55 institutter til 26 for at samle organisationen og styrke tværfagligheden. På samme måde er vi nu ved at lægge hele hjemmesiden om, så der bliver bedre sammenhæng i indhold og design.

Tag smutvejen

Under knappen GENVEJE øverst til højre finder du links til det mest brugte indhold på hjemmesiden samt til to nye universer til medarbejdere og studerende.

Hvor finder jeg det?

Få et overblik over indholdet på hjemmesiden med de nye megadropdowns. De åbner sig, når du kører musen hen over navigationen i toppen.

Aarhus Universitet
Nordre Ringgade 1
8000 Aarhus C

E-mail: au@au.dk
Tlf: 8715 0000
Fax: 8715 0201

CVR-nr: 31119103

AU på sociale medier
Facebook
LinkedIn
Twitter
Vimeo

© — Henvendelser til webredaktør

Cookies på au.dk